读写stm32内部flash

mmuyu

    我们使用最多的STM32f103c8t6系列，内部拥有64kb的储存空间拥有存放程序代码。64kb，一般来说是比较充足的，小的项目通常都在20kb左右，如果算上ota的话，在小项目上也能余下一点小空间，因此剩下的空间可以利用来存放一些数据。
通过stm提供的闪存编程手册，我们可以知道，flash被划分成每个1k大小的页。

因此，我们可以使用一个页来存放数据，1个页1k，假如我们存放uint16的话，那么理想情况可以存放512个数据。


接下来我们看看如何写入和读取数据。

首先，要写入数据我们需要先对页进行擦除，最小支持擦除一页。

我们以58页为例，58页地址=52x1024+0x08000000(启动地址) 因此是0x0800e800，擦除过程可以参考手册

其中，解锁过程和等待bus寄存器已经被hal库整合起来，我们直接使用hal提供的代码即可，只需要解除写操作，验证擦除成功，重新锁起flash即可，代码如下。

擦除完成后，我们就可以写入了，这里准备了一个uint16用于测试。

在代码里，先解除写保护，使用半字的模式写入uint16 对于stm32 一个完整的字是4字节，因此半字为2字节。我们最小能写入和擦除的也是半字。

写入完成后，我们就可以读取了，hal没有帮我们实现读取的函数，不过读取的函数还是很简单的，只需要从特定的内存地址读取即可。加上__IO是为了防止编译器优化，否则有可能在写入数据后重新读取到的是缓存数据。

1. uint16_t flash_read(void){
   
2.                 return*(__IO uint16_t*)0x0800e800;
   
3. }

复制代码

main的完整代码：

1. flash_page58_erase();
   
2.                 uint16_t test = 12345;
   
3.                 HAL_FLASH_Unlock();
   
4.                 HAL_StatusTypeDef flash_status=HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD,0x0800e800,test);
   
5.                 HAL_FLASH_Lock();
   
6.                 if(flash_status!=HAL_OK){
   
7.                         printf("flash_write_error\n");
   
8.                 }else{
   
9.                         printf("write page61\n");
   
10.                 }
    
11.                 uint16_t temp=flash_read();
    
12.                 printf("read flash: %d\n",temp);

复制代码

最后我们通过串口查看输出情况：

可以看见，成功读出了数值。