【常见问题】ESP8266硬件类

feb

1.esp8266 电压电流需求？

ESP8266 的数字部分的电压范围是 1.8V ~ 3.3V。

模拟部分的工作电压是 3.0V ~ 3.6V，最低 2.7V。

模拟电源峰值 350 mA。

数字电源峰值 200 mA。

注意：选择的 SPI Flash 工作电压也需要与 GPIO 的电压匹配。

CHIP_EN 还是工作在 3.0 - 3.6V，使用1.8V GPIO 控制时需要注意电平转换。

2.设计 ESP8266 的供电时，需要注意哪些问题？

请注意如下几点：

• 如果是使用 LDO 变压，请确保输入电压和输出电压要足够大。
• 电源轨去耦电容器必须接近 ESP8266 摆放，等效电阻要足够低。
• ESP8266 不能直连 5V 电压。
• 如果是通过 DC-DC 给 ESP8266 供电，必要时要加上 LC 滤波电路。
  

3.ESP8266 上电时电流很大，是什么原因？

ESP8266 的 RF 和数字电路具有极高的集成度。上电后，RF 自校准会需要大电流。模拟部分电路最大的极限电路可能达到 500 mA；数字电路部分最大电流 达到 200 mA。一般的操作，平均电流在 100 mA 左右。因此，ESP8266 需要供电能达到 500 mA，能够保证不会有瞬间压降。

4.可以使用锂电池或者 2 节 AA 纽扣电池直接给 ESP8266 供电吗？

2 节 AA 纽扣电池可以给 ESP8266 供电。锂电池放电时压降比较大，不适合直接给 ESP8266 供电。

ESP8266 的 RF 电路会受温度及电压浮动影响。不推荐不加任何校准的电源直接给 ESP8266 供电。

推荐使用 DC-DC 或者 LDO 给 ESP8266 供电。

5.SPI Flash 上电时，是否有特殊需求？

SPI Flash 用于存储用户的程序和数据。为了保证兼容性，SPI Flash 的电压应该和 GPIO 的电压相匹配。

6.上电时序是怎样的，boot 模式是如何选择的？

CHIP_EN 上电时序要求：CHIP_EN 芯片使能管脚，内部无上拉，高电平有效。CHIP_EN 的上电要晚于或同时与系统电源 3.3V 上电。一般 CH_EN 有外接 RC 电路，延时大概在 μs 级即可。CHIP_EN 拉高大概 60 ms 后，设备判断 boot mode {GPIO15, GPIO0, GPIO2}，之后 UART 即可通讯。

   

EXT_RSTB：外部复位管脚，内部有上拉，悬空即为高电平。EXT_RSTB 为电平触发，低电平触发芯片复位。如果是外部给 ESP8266EX 的 reset  信号，则最低要求（0.25 VIO，100 μs）。

     

   

	描述	最小值	最大值	单位
t1	VDD33 上升时间	10	2000	μs
t2	EXT_RTSB 上升时间	0	2	ms
t3	EXT_RTSB 电平 在 VDD33 电平为高后上升	0.1	-	ms
t4	CHIP_EN 上升时间	0	2	ms
t5	CHIP_EN 电平 在 EXT_RTSB 电为高后上升	0.1	-	-

7.ESP8266 的 RAM 的使用结构是怎么的？

ESP8266 的 RAM 总共 160 KB。

  

IRAM 空间为 64 KB：

前 32 KB 用作 IRAM，用来存放没有加 ICACHE_FLASH_ATTR 的代码，即 .text 段，会通过 ROM code 或二级 boot 从 SPI Flash 中的 BIN 中加载到 IRAM。

后 32 KB 被映射作为 iCache，放在 SPI Flash 中的，加了 ICACHE_FLASH_ATTR 的代码会被从 SPI Flash 自动动态加载到 iCache。

   

DRAM 空间为 96 KB：

对于 Non-OS_SDK，前 80 KB 用来存放 .data/.bss/.rodata/heap，heap 区的大小取决于 .data/.bss/.rodata 的大小；还有 16 KB 给 ROM code 使用。

对于 RTOS_SDK，96 KB 用来存放 .data/.bss/.rodata/heap，heap 区的大小取决于 .data/.bss/.rodata 的大小。

bigfanofloT