在这里给大家分享一下学习51单片机心得体会:
1、我从不说51是基础,如果我这么说,也请把这句话理解为微机原理是基础。
2、对51单片机的操作本质上就是对寄存器的操作,对其他单片机也是如此。库只是一个接口,方便使用者使用而已。
3、汇编语言在工作中很少用到,了解就好。
4、51单片机的P0口很特别。
5、C语言就是C语言,51单片机就是51单片机,算法就是算法,**电路就是**电路,传感器就是传感器,通信器件就是通信器件,电路图就是电路图,仿真图就是PCB图,仿真就是仿真。
当你以后再也不使用51了,C语言的知识还在,算法的知识还在,搭建单片机的最小系统的技能还在,传感器和通信器件的使用方法还在,还会画电路图和PCB图,当然也会仿真。
6、51单片机是这个:
7、当程序调试不如人意的时候,静下心来好好查资料,51单片机最大的好处就是网上资料非常多,你遇到的问题别人肯定也遇到过。作为学习者,问人可能更方便点,但一直这样是培养不出解决问题的能力的。
8、有些单片机初学者觉得看例程不好,觉得就等于看答案一样有罪恶感。其实对初学者来说,看例程、理解例程、再看例程的注解是最好的学习途径。做实验、做课程设计、做参赛作品的时候也是可以移植程序的,不需要自己重新实现(当然老师布置的作业还是独立完成好)。
但是,要清楚,移植程序不等于学习单片机,最重要的是知道例程是怎样的框架及实现方法。初始化了哪些寄存器,做了哪些引脚配置,调用了哪些函数,那些函数又是怎么实现的,设置了哪些中断,用到了哪些片上资源(UART、ADC等),查询了哪些状态,如果状态变化(触发事件)又会做些什么等等。由此整理出一个流程图并知道其实现方式,基本上这个例程就学习得差不多了。
总结51单片机上拉电阻的作用:
1.用于为OC和OD门电路,提供驱动能力
以OC(集电极开路)电路为例:
例如,达林顿管(其实就是复合三级管)集成块ULN2003. 内部一路的电路如图,就是一个集电极开路电路。
如果不加上拉电阻是无法高电平驱动其他器件的。因为当三极管截至市没有电流流通的路径,更谈不上驱动了。这个跟单片机P0口加上拉电阻的原理一样。
2.提高高电平电位
单片机P1口外接4×4矩阵键盘。另外复用P1.0~P1.3外接ULN2003控制驱动步进电机。
实验中遇到的问题:当接入ULN2003时键盘无法工作,去掉ULN2003后键盘工作正常,ULN2003工作正常。(注:两个部分不同时工作)
问题分析:由于键盘的结构,无非就是两个金属片的接通或断开,但是接入ULN2003 后无法正常工作,说明是接入ULN2003影响到了P1口电平的变化。用万用表测的电压,当单片机输出高电平时,P1.0~P1.3电压1V左右,P1.4~P1.7电压4.3V左右,于是测AT89s52高低电平的判决电位,在1.3V左右。这样P1.0~P1.3始终是低电平,键盘根本无法实现扫描功能。
解决方法:只要抬高P1口高电平时的电位,就可以正常工作。
(1)在P1口到ULN2003上串接电阻,起到分压的作用,就可以抬高电平。
(2)给P1口接上拉电阻,跟P1口内部电阻并联,减小上拉电阻阻值,减小分得的电压,从而抬高P0口高电平电位。
采用第二种方案可以抬高电平到2.5V左右,键盘工作正常。
另外:我在做液晶显示实验的时候,数据线用的P0口,无法正常工作,不显示字符。但是乱动一下数据线就可以完成显示,但是显示现象并不正常,字符不是一次写入,而是乱动几次才能写完全部内容,正常应该一次全部显示 。原因是由于我的P0口中有六个端口都外接并联三个发光二极管。,因为从资料上查到,P0口每一个端口最大可以吸收10mA电流,总电流不能超过26mA电流。这样算我的总电流已经到了40mA,所以怀疑是驱动的问题,于是去掉了几个二极管,显示一切正常。似乎问题已经解决,但总觉得还是有点问题,于是又经过几次试验,发现只有当P0.7端口的并联二极管去掉一个,再在其他端口接上一个发光二极管,此时也可以正常显示。但是这样P0口吸收电流在38mA,也超过了26mA不少,所以不是吸收电流太大的问题。仔细分析当端口并联外接三个二极管的时候等效于加了一个700欧左右的电阻,于是把二极管去掉换成一个1k欧电阻,液晶也无法显示。
经过仔细分析,我认为,由于P0.7是液晶忙信号的返回线路,当这个端口返回高电平时,说明液晶正在处理数据,无法接收新的数据,返回0时说明空闲,可以接收新数据。
这样当上拉电阻太小了,液晶返回低电平时就有可能高过1.3V(AT89s52高低电平的判决电位),单片机接收到后,不会当作低电平,当然也就无法显示了(程序设计的时检测到忙信号,继续检测)。
总结:上拉电阻选择也有要求,既不是越高越好也不是越低越好,得根据需要选择。这可能也叫,阻抗匹配吧。
转自《嵌入式资讯精选》
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